メモリ空間を垂直方向に積み重ねる3D構造技術は、既に物理的な極限領域へと足を踏み入れている。「次世代3D FLASHメモリ開発プロジェクト」が挑むのは、層数を増やすと同時にセル構造の均一性を極限まで高める高難度加工だ。
エッチング技術の限界に挑む現場では、数ミリメートルのウェハ上に超微細なホールを数十億個単位で寸分の狂いもなく垂直に開ける作業が繰り返されている。歩留まりとの闘いは壮絶を極める。しかし、この壁を突き破らなければ、競合する海外メガベンダーとの速度勝負に勝てない。技術陣の気迫がライン全体を包み込んでいる。
